デバイスモデリング教材
逆回復特性を考慮したダイオードモデル編
概要
ダイオードのパラメータ・モデルでは、逆回復特性をパラメータTT、1個で表現しており、逆回復特性を
忠実に表現しておりません。逆回復特性を忠実に再現する為には、等価回路モデルを採用しなければ
なりません。このモデルの用途は、回路上にて、スイッチング時間が影響する場合、特にパワー・エレ
クトロニクスにおいて、パワーMOSFETのボディダイオード、IGBTのFWDに有効です。
等価回路モデルのご紹介、等価回路モデルのご理解に是非、ご活用下さい。また、電流減少率(didt)
モデルの最新研究の成果、及びサーマル・デバイスモデルも掲載しています。
目次
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